Sheath plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다.
2019.10.10 13:10
안녕하세요 교수님, 석사과정을 진행중인 학생입니다.
RIE에 대하여 공부하다 해결되지 않는 사항이 있어 질문드리고자 합니다.
ion theath thickness와 MFP와의 관계에 따라 ion directionality가 달라지고, ARDE가 발생하게 된다는 것 까진 학습하였습니다.(차일드-랭뮤어의 식)
1. Ion의 mass에 따라 sheath thickness가 변하는데, sheath thickness가 ion 가속, MFP, Vdc(self bias)에 끼치는 영향이 있는지 여쭙고자 합니다.
(Ion mass --> sheath thickness변화 ==> ion 가속영향? / MFP 영향? / Vdc 영향?..아니면 그 자체로는 다른 parameter에 영향이 없는지..)
2. RIE에서 wafer(electrode)의 open area의 경우, ion flux와 electron flux가 같다고 학습하였습니다.
이때 gas를 바꾸었을 때 ion의 mass가 바뀌었을 때,(ex, F --> Br) ion flux가 동일한지, 그렇다면 동일 flux이므로 wafer incident ion energy는 mass가 증가한 만큼 증가하게 되는지, electron의 energy가 ion의 mass나 이온화E에 영향이 있는지 여쭙고자 합니다. (속도가 동일하므로, mass증가에 따라 ion의 kinetic E 증가하는지...)
조금 두서없이 썼지만, 공부하는 중 해결이 잘 되지않아 교수님께 질문드리고자 합니다.
감사합니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76895 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
499 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2827 |
498 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 554 |
497 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1712 |
496 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1525 |
» | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3438 |
494 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1173 |
493 | 질문있습니다. [1] | 2585 |
492 | chamber impedance [1] | 2018 |
491 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 3346 |
490 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2151 |
489 | 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] | 5106 |
488 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 1379 |
487 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 749 |
486 | Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] | 6295 |
485 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1678 |
484 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1195 |
483 | matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] | 3213 |
482 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2889 |
481 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 762 |
480 | wafer bias [1] | 1141 |