ESC ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요??

2021.09.14 15:33

윤정훈 조회 수:2155

진공상태에서 ESC 표면의 온도가 모두 같지는 않기 때문에 Inner랑 outer에서 조금의 온도 차이가 있을 텐데

 

이러한 온도 차이 때문에 wafer에서의 식각률의 차이가 어떤 이유로 있는건지 알 수 있을까요??

온도별로 영역별 식각정도가 다를 경우가 있는데 어떤 이유가 있을지 궁금해서요

 

도움 부탁드립니다! 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77216
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68901
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92947
386 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2859
385 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2902
384 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2903
383 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2913
382 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2942
381 RF matcher와 particle 관계 [2] 3036
380 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 3038
379 Plasma etcher particle 원인 [1] 3053
378 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3064
377 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3073
376 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3168
375 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3199
374 CVD 공정에서의 self bias [1] 3209
373 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3246
372 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3276
371 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3326
370 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3346
369 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3347
368 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3386
367 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3453
쓰기
태그

Boards

XE Login