Process Cu migration 방지를 위한 스터디

2023.12.18 23:14

Kann 조회 수:251

디스플레이 업계 어레이 공정 개발을 담당하고 있습니다. 

골치 아픈 문제가 있어 이렇게 자문을 구해봅니다.

Bottom Gate로 Copper를 사용하고 있고, GI막을 SiNx+SiO2 이런 구조로 사용하고 있습니다.

현재 제품의 문제가 고객단에서 Gate-SD Short 문제인데요,

GI Particle 관점에서 말고, GI막내로 Gate Cu migration으로 인한 항복전압(Breakdown Voltage) 문제로 보고 있습니다.

제픔의 특성상 Gate를 디른 재료로 바꿀수는 없구요. 

Cu 확산이 이뤄진다라는 가정하에 이놈을 효과적으로 제어하는 방법이 있을까요.

의견 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77208
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57361
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
806 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. 8
805 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 21
804 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 22
803 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 36
802 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 40
801 Druyvesteyn Distribution 47
800 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 54
799 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 58
798 플라즈마 식각 커스핑 식각량 60
797 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 67
796 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 73
795 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 76
794 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 82
793 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 86
792 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 87
791 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 90
790 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 91
789 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 102
788 플라즈마 설비에 대한 질문 110
787 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 118

Boards


XE Login