안녕하세요 교수님

 

제목에서 말씀드린 것 처럼 Ion 입사각을 확인하고 싶은데 문제가 있습니다. Etch 설비라면 Profile을 통해 알 수 있겠으나, 제가 맡고 있는 설비는 CVD 설비 입니다. ICP TYPE에서 DEP 과 Etch 가 동시에 일어나 Gapfill 목적으로 사용되는 설비입니다. 그렇다보니 Etch 처럼 Profile에서 Ion 의 입사각도가 드러나지 않는데, 어떻게하면 확인해볼 수 있을지 조언 부탁드립니다. 확인하는 목적은 Outer 영역에 Ion flux 가 집중되는 것으로 보여 확인하기 위함입니다. 늘 감사드립니다. 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77266
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20479
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57385
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68916
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92965
807 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. 11
806 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. 28
» Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 34
804 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 40
803 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 46
802 Druyvesteyn Distribution 50
801 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 57
800 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 62
799 플라즈마 식각 커스핑 식각량 63
798 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 65
797 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 77
796 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 81
795 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 87
794 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 89
793 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 89
792 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 91
791 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 91
790 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 103
789 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 104
788 플라즈마 설비에 대한 질문 119

Boards


XE Login