Plasma in general DC Arc Plasma Torch 관련 문의

2024.10.22 10:22

스크러버연구원 조회 수:41

안녕하세요! DC Arc Plasma Torch 연구하고 있는 연구원 입니다.

 

Plasma 를 이용한 스크러버를 연구하고 반도체 공정에서 적용하여 DCS, NH3 가스를 처리하고 있습니다.

 

스크러버는 음압으로 운영 중이며, Torch 는 정전류 방식, 케리어 가스는 N2, DC Arc Plasma 로 사용중입니다.

 

질문! 정전류로 Voltage 값이 유지되다가 Voltage 값이 서서히 상승하는 현상을 발견했습니다.

 

보통 Anode 식각으로 Voltage 가 떨어지는것으로 알고있는데, Voltage 가 상승할 수 있는 원인이 무엇이 있는지 알수 있을까요?

 

감사합니다~

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 85317
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22478
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59225
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70935
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 97912
828 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 53
827 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 44
» DC Arc Plasma Torch 관련 문의 [1] 41
825 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 77
824 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 [1] 40
823 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 262
822 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 184
821 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 239
820 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 388
819 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 451
818 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 508
817 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 302
816 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 352
815 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 354
814 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 383
813 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 268
812 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 180
811 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 185
810 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 294
809 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4395
쓰기
태그

Boards

XE Login