안녕하세요, CCP 장비의 rf 파워와 dc 펄스 전력에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

이온 에너지 control을 위해 음전압 dc 펄스를 웨이퍼와 엣지링에 인가한다고 하는데 dc 펄스의 장점에 대해 궁금증이 생겨 질문드립니다.

1. 이온 에너지를 높이기 위해 하부 RF 파워를 높이게 되면 아킹현상이 발생하는데, 이를 개선시키기 위해 dc 펄스를 사용한다고 합니다. 그렇다면 dc 펄스는 아킹을 일으키는 고전압에 기여하지 않는 것인지, 만약 기여한다면 듀티비를 조절해 rf파워가 off되는 시점에 dc 펄스를 on시켜 아킹 이슈를 개선하는 것인지 궁금합니다.

2. dc 펄스를 인가하면 RF 파워에 비해 플라즈마가 웨이퍼 표면에 고르게 인가되어 profile을 개선 할 수 있다고 생각하는데 이 부분이 맞는지 궁금합니다.

감사합니다.