메모리 소자의 단위 선폭이 점점 좁아짐에 따라 contact형성을 위한 높은 종횡비의 산화막 식각 기술의 정교화가 요구되고 있다. 높은 종횡비의 산화막 식각을 위해서는 산화막 식각을 수행하는 이온의 입사에너지와 마스크와 식각면을 보호하는 폴리머 형성 속도를 적절하게 유지하는 것이 중요하다. 이러한 공정성능은 플라즈마의 전자온도분포에 매우 민감한 특성을 가지므로 발생 플라즈마의 전자에너지분포를 최적화함으로써 공정장비의 성능을 개선할 수 있을 것이다. 상부 showerhead와 하부 ESC를 전극으로 하는 일반적인 300mm웨이퍼용 식각장비는 상하부 전극면으로 정의된 중심부 플라즈마와 전극과 벽면사이의 측면 플라즈마로 구성되어 있다. 중심부 플라즈마는 전극의 self-bias에 의해서 음의 전위를 갖고 측면은 넓은 벽면 접지 전위를 기반으로 접지 전위를 가짐으로 중심부 전위보다 높은 전위 형태를 가진다. 따라서 방전공간은 중심부가 오목한 전위 분포를 갖게 되는 것이 일반적이다. 또한 상하부 전극 간격은 측면방향으로 플라즈마가 확산되도록 하여 비교적 균일한 플라즈마를 형성하게 한다. 플라즈마의 확산현상에서 고에너지 전자들의 주변부 확산이 활발히 일어나게 되고 이들은 측면 플라즈마 생성에 기여한다. 또한 측면 플라즈마의 상대적으로 높은 전위는 중심부 쪽으로 이온의 흐름이 예상되어 중심부 플라즈마는 전극사이의 강한 전기장으로 부터 플라즈마가 구속되는 현상 외에도 바깥쪽으로 부터 안쪽으로 모이는 이온에 의해 높은 밀도의 플라즈마를 형성하게 된다. 따라서 CCP 플라즈마를 설계함에 있어 전극의 크기, 간격 및 반응기 크기의 설계는 생성되는 플라즈마의 균일도, 밀도 및 전자 온도 분포의 특성에 구조적으로 정의하게 함으로써 장치가 갖는 운전 범위가 정해질 수 있으므로 이들 설계 인자에 따른 플라즈마의 특성 변화에 대한 관계를 면밀히 관찰하여 CCP 장치를 설계해야 한다. 본 발표에서는 장치특성을 결정짓는 장치 주변부 플라즈마 확산현상에 따른 플라즈마 특성변화와 그 설계요소 및 제어인자에 대하여 소개하고자 한다.