Others RF compensate probe
2004.06.19 16:12
일반적인 유도 결합형 플라즈마(ICP)에서의 경우 안테나에의한 정전기장이 축전 용량성 결합을 통해 공간 전위는 RF에 의한 영향을 받게 됩니다. 이러한 환경에서 일반적인 탐침에 의해서 얻어지는 플라즈마 전위는 시간에 따른 플라즈마 공간 전위 변동의 평균값을 측정하게 되어 플라즈마 공간 전위의 설정에 어렵게 되므로 보다 정확한 전위를 측정하기 위해서는 RF 플라즈마에서 얻어지는 탐침자료에서 RF oscillation을 보상하여 플라즈마 전류값을 추출할 수 있는 특별한 탐침법을 사용해야 합니다.
이러한 탐침법에는 일반적으로 한 개 또는 여러 개의 notch filter를 사용하여 RF oscillation이 제거된 전류-전압 자료를 얻게 됩니다. Notch filter는 특정 주파수에 대해 최대의 임피던스를 갖도록 만들어진 회로로써 LC 병렬 공진회로이며 특정 주파수에서 임피던스가 최대가 되며, 따라서 그 특정 주파수는 filter를 통과하지 못하므로 원하는 주파수를 제거하는데 이용됩니다.
RF 보상탐침에서 가장 중요하게 생각해야 하는 점은 탐침 부분의 임피던스보다 filter 부분의 임피던스값이 매우 커져야 한다는 것입니다. 이 조건이 성립해야 filter 뒤 부분에서 전압강하가 일어 나서 정확한 플라즈마 전위를 측정 할 수 있습니다. 만약 이 조건이 성립하지 않게 되면 탐침의 전위와 플라즈마 전위가 서로 다른 갑슬 가지게 되어 정확한 전위 측정을 할 수 없게 됩니다.
자세한 내용은 다음의 논문을 참고 하시기 바랍니다.
1. Isaac D Sudit and Francis F Chen, Plasma Source Sci. Technol. 5, (1996)
2. Isaac D Sudit and Francis F Chen, Plasma Source Sci. Technol. 3, (1994)
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77150 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20429 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57337 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68884 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92905 |
802 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 21 |
801 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 29 |
800 | Druyvesteyn Distribution | 34 |
799 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 47 |
798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 49 |
797 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 49 |
796 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 49 |
795 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 60 |
794 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 61 |
793 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 69 |
792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 78 |
791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 78 |
790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 88 |
789 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 94 |
788 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 99 |
787 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 99 |
786 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 105 |
785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 109 |
784 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 118 |
783 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 119 |