Others 물질내에서 전하의 이동시간

2004.06.19 16:49

관리자 조회 수:29405 추천:252

좋은 질문입니다만 질문에 대한 저희 경험이 없습니다. 삼성등에서 이에 관한 연구가 되고 있지 않을까 합니다. 혹시 관련 자료나 아이디어가 있으면 공유하기를 바랍니다. 아무튼 많은 연구가 요구되는 사항으로 생각됩니다.
참고로 물질내에서 전하의 이동시간 (relaxation time), 부분적으로 하전 되어 있는 전하가 평형 상태에 도달하는데 걸리는 시간은 구리의 경우 대략, 1e-12초, 유리 2초, 폴리스틸렌 1e10초로 아려져 있습니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [293] 77385
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20523
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57462
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68988
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93011
33 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 169
32 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 158
31 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 156
30 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 153
29 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 152
28 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 146
27 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 145
26 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 142
25 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 141
24 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 130
23 플라즈마 설비에 대한 질문 129
22 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 121
21 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [2] file 109
20 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 106
19 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 103
18 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] 102
17 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 100
16 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 96
15 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 94
14 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 93
쓰기
태그

Boards

XE Login