Deposition 증착에 대하여...
2004.06.19 16:52
저희도 증착 실험을 시도하고 있기도 합니다만 증착에 관한 경험은 많지 않습니다. 단지 도구로 사용하는 플라즈마의 특성에 관해서 공부를 조금 하고 있는 정도입니다.
예전 저희 경험으로는 Cu의 경우 sputtering에 의해서는 매우 증착이 잘 되었습니다. 하지만 지금 같은 MO에서도 잘 될 것 같은데, 산소가 너무 많지 않은가 하는 생각되 있긴 합니다. 개인적인 생각으로 현재 장치에서는 처부해야할 부분이 있다면, 박막의 성장 조건을 마련하기 위해서 (일단 시편이 얇은 경우면 DC도 가능하겠지만) self-bias를 인가할 수 있는 substrate를 제작하셔야 할 것 같습니다. 아울러 온도 조절도 가능하면 좋을 것입니다. 박막 제조를 n이해서는 시편의 온도, 시편 위에서의 전위 (이 경우 self bias)등의 조건을 매우 중요합니다. 일단 위의 두가지 조건을 변화할 수 있으면 변화해 보기 바랍니다. 이 점은 다른 박막 실험을 위해서도 필요하니 신경쓰시기 바랍니다. 또한 박막의 제만 의문점에 대해서는 저희 학과의 안 일신 교수님 (전화 031-400-5478/ 혹은 ilsin@hepth.hanyang.ac.kr)로 문의해 보시기 바랍니다. 박막에 대한 많은 경험을 갖고 계신 분입니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77061 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20378 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57290 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68836 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92837 |
161 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 737 |
160 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 737 |
159 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 734 |
158 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 733 |
157 | ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] | 723 |
156 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 719 |
155 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 713 |
154 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 710 |
153 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 706 |
152 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 695 |
151 | Polymer Temp Etch [1] | 693 |
150 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 693 |
149 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 691 |
148 | 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] | 680 |
147 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 679 |
146 | plasma 공정 중 색변화 [1] | 663 |
145 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 661 |
144 | Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] | 659 |
143 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 653 |
142 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 646 |