Sputtering Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요?

2004.06.21 15:44

관리자 조회 수:18051 추천:221

질문 ::

제가 알고 있는 범위로는 해결 방법이 없어서 문의 드립니다.
Sputter 공정에서 발생되는 Splash의 감소 및 발생 억제 방안에
대해 알고 계시면 답변 부탁 드립니다.
공정에 사용되는 금속에 따라 전류와 전압 및 H/W Parameter를
(Target과 Magnet 거리) 변경하면서 그 현상을 확인 하고는 있는데
Control이 잘 안되네요.
Splash는 두종류로 나뉘는데...
첫번째는 Wing Type( Chamber 오염)
두번째는 Dome Type(Target 문제...)
현재 골치를 앓고 있는 문제는 '두번째' 인데, 어떻게 풀어야 할지
모르겠네요.
특히 Al 금속에서 그 현상이 심한데, 어떤 방법이 없을까요?
(장비사양은 DC Power/Magnet를 이용한 Film Deposition 방법)

답변 ::

Power를 낮추면 효과가 있죠...
당근한 말이쥐만...
특히 메탈은 어디나 발생되고 문제가 되죠...
윙타입 보다 돔 타입이라면 원인은 간단하네요...
B/P와 TG 사이에서 발생되든가..아님 TG 불순물과 Pore에 기인하든지
여튼 둘다 TG Maker를 조져야 됩니다.
그렇다고 완전히 없어지진 않죠....기본적으로 Al 공정에서 발생되는것은 어찌할 수 없습니다. 모든 Arc 기인의 Spalsh는 Charging을 줄이는
수 밖에...그건  Power를 낮추는게 가장 효과적이죠...
글구  process gas도 영향을 주니까 잘 Control 해보시고요...
TM은 크게 효과 있나요? 별 효과 없던데...
혹 좋은 방법 있으면 저도 좀 갈케죠요...도움 안되는 소리만 해서
미안합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] 77182
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20453
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68893
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92929
804 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 12
803 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. 13
802 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 31
801 Druyvesteyn Distribution 39
800 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 48
799 플라즈마 식각 커스핑 식각량 54
798 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 54
797 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 59
796 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 59
795 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 70
794 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 72
793 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 77
792 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 82
791 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 82
790 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 88
789 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 100
788 플라즈마 설비에 대한 질문 102
787 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 108
786 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 113
785 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 114

Boards


XE Login