질문 ::
self bias(DC bias)전압에 대하여 문의드립니다.
실제로 DC bias sensor로 측정을 하고 sputter를하게되면
450[v]정도에서는 데포가 되지않고, 600[v]이상에서는 데포가 됩니다.
이것을 중요하게 생각하는것이아니라. 개인적으로
target size, chamber wall, impedance matching(?)가 관련이 있는것으로
생각되어지구요.. 이것이 맞는것이지,
다른 원인이 있는것인지 궁금합니다.
답변 ::
Self bais는 전극에 하전되는 전하량에 비례하게 됩니다. 따라서
따라서 하전되는 전하량은 당연히 전극의 크기와 플라즈마 밀도와
상대 전극의 크기등에 비례하겠지요. 플라즈마 밀도와 온도는
전극으로 들어오는 플라즈마 전류량에 영향을 미치게 되어 중요하고
전극의 크기들은 전체 하전량을 좌우함으로 또한 중요하게 됩니다.
아울러 플라즈마 임피던스는 플라즈마 밀도와 온도의 함수이므로
질문하신 플라즈마 임피던스도 관련되는 인자임이 틀림없게 됨니다만
보다 정확한 표현은 플라즈마 특성 인자들, 온도, 밀도라 하겠습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77303 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20500 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57414 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68949 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92988 |
250 | 산업용 플라즈마의 특성 | 15179 |
249 | 박막 형성 | 15304 |
248 | 우주 플라즈마 | 15367 |
247 | In-flight plasma process | 15515 |
246 | 핵융합반응/플라즈마 | 15553 |
245 | 플라즈마와 비행기에 미쳤거든여....^ _ ^ ; | 15639 |
244 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15660 |
243 | Plasma potential이.. 음수가 될수 있나요?.. | 15711 |
242 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15823 |
241 | corona | 15897 |
240 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15901 |
239 | Sputter | 15907 |
238 | ICP TORCH의 냉각방법 | 15924 |
237 | k star | 15958 |
236 | 역 수소폭탄에 대하여... | 16010 |
235 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16026 |
234 | 플라즈마로 처리가 어떻게 가능한지 궁금합니다. [1] | 16058 |
233 | 공정검사를 위한 CCD 카메라 사용 | 16087 |
232 | 궁금합니다 [1] | 16183 |
231 | 궁금해서요 | 16325 |