Sputtering DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시
2004.06.25 16:40
질문 ::
DC MAGNETRON SPUTTER에서 T/G쪽에 (-)를 인가하는데
(+)를 인가하면 SPUTTERING이 가능한지요?????
답변 ::
Sputtering은 타겟 표면의 에너지를 인가하여 시편 표면의 원자들이
튀어나옴으로서 가능합니다. 따라서 타겟 표면에 에너지를 효율적으로
전달하기 위해서는 플라즈마 내에서 질량이 큰 입자를 사용하고
이 입자에 에너지를 효율적으로 줄 수 있어야 합니다. 이 조건을
만족하는 것은 이온으로 양전하를 띄고 있어 전기장을 인가함으로서
이온에 에너지를 줄 수 있으며 질량도 큽니다. 따라서 에너지 높은
이온을 이용하려면 타겟에 음전위를 인가해야 할 지 양전위를 인가해야
할가에 대한 답이 나옵니다. 여기서 양전위 혹은 음전위의 기준 전위는
밖에서 정하는 접지 전위가 아닌 플라즈마 전위 혹은 플라즈마 부유 전위가 기준이 됩니다. 참고하세요
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76888 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20285 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57204 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92716 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 12 |
| 798 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 13 |
| 797 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 17 |
| 796 | Druyvesteyn Distribution | 22 |
| 795 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 30 |
| 794 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 35 |
| 793 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 60 |
| 792 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 64 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
| 790 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 73 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 75 |
| 788 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 77 |
| 787 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 81 |
| 786 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 83 |
| 785 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 88 |
| 784 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 95 |
| 783 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 98 |
| 782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 121 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 123 |
| 780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 125 |