Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.

2004.06.25 16:44

관리자 조회 수:20680 추천:319

te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.

  저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
  dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.

  저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 111400
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 27825
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 65089
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 76890
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 111158
156 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24260
155 교육 기관 문의 17877
154 Breakdown에 대해 21746
153 이온주입량에 대한 문의 20983
152 Peak RF Voltage의 의미 22942
151 electrode gap 18210
150 RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] 98095
149 실생활에서 사용되는 플라즈마 18478
148 플라즈마의 어원 [Langmuir] 16520
147 확산펌프 [DP 변수 검토] 20713
146 플라즈마에 관하여 [플라즈마 기초] 19125
145 핵융합 발전에서 폐기물이 않나오는…. [처리와 재활용] 18737
144 플라즈마을 막는 옷의 소재는? [옷의 소재 표면 처리] 18697
143 스퍼터링시 시편 두께와 박막두께 [박막의 하전량 변화] [1] 22135
142 Plasma source type [CCP, ICP, TCP] 80680
141 플라즈마를 이용한 발광시스템에 관한 연구 [Plasma lamp] 17264
140 CCP의 electrod 재질 혼동 [PECVD와 화학물 코팅] 16720
139 PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] 30259
138 플라즈마 코팅 관하여 [PECVD와 화학물 코팅] 22297
» wafer 전하 소거: 경험 있습니다. 20680

Boards


XE Login