Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.

2004.06.25 16:44

관리자 조회 수:20481 추천:319

te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.

  저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
  dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.

  저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76802
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20238
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57185
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68733
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92556
791 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. 23
790 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 39
789 플라즈마 설비에 대한 질문 47
788 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 57
787 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 63
786 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 67
785 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 67
784 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 76
783 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 83
782 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 97
781 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 99
780 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 108
779 Microwave & RF Plasma [1] 125
778 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 127
777 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 130
776 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 136
775 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 138
774 ICP에서 전자의 가속 [1] 148
773 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 151
772 skin depth에 대한 이해 [1] 154

Boards


XE Login