Sheath plasma and sheath, 플라즈마 크기
2004.07.02 00:28
질문 ::
sheath가 형성된 부분은 전위가 매우 낮다가 일정영역에서는
높은 전위로 일정하게 유지되는데...
그렇다면 플라즈마내에서 voltalge drop이 있다고 해야하는 건가요??
어디서 어디까지가 플라즈마 형성 영역으로 봐야하는건지
잘 모르겠습니다.
아님 그냥 밀도 차이로 보면 되는건가요??
애매해서 질문드립니다.
답변 ::
플라즈마는 준중성상태를 유지하고 집단행동을 할 정도의 많은 하전입자의 모임입니다. 플라즈마 쉬스는 플라즈마의 경계에서 생기는
플라즈마의 일부분으로 쉬스에서는 플라즈마의 본래
특성인 준 중성상태의 조건을 위배하며 이온이 많고 강한 전기장이 형성되는 영역입니다. 쉬스와 플라즈마 본체 사이에는 플라즈마 온도의 절반에 해당하는 전위차를 갖으며 이 전위차로 부터 이온이 에너지를 받아 쉬스로 입사되게 되는, 즉 이온이 가속되는 영역인 프리 쉬스 (전외장)이 형성되어 있습니다. 프리쉬스 내에서는 플라즈마의 준 중성 상태는 유지됩니다.
따라서 플라즈마 특성이 유지되는 곳으로 플라즈마
크기를 정의한다면 쉬스 영역을 제외하고 생각하는
편이 옳을 수 있습니다. 정확히 이야기 하면 프리 쉬스 (전외장)까지
이겠지요. 하지만, 플라즈마 상태가
유지되는 곳의 그 가장자리에는 늘 쉬스가 형성되어 있음으로
플라즈마와 쉬스를 분리해서 플라즈마 용적을 생각하기는 어렵습니다.
쉬스에 대해서는 여러차례 설명을 했으니 이전 설명을 참고하기 바랍니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] | 111404 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 27827 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 65092 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 76892 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 111158 |
| » | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 24260 |
| 155 | 교육 기관 문의 | 17877 |
| 154 | Breakdown에 대해 | 21746 |
| 153 | 이온주입량에 대한 문의 | 20983 |
| 152 | Peak RF Voltage의 의미 | 22942 |
| 151 | electrode gap | 18210 |
| 150 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 98095 |
| 149 | 실생활에서 사용되는 플라즈마 | 18478 |
| 148 | 플라즈마의 어원 [Langmuir] | 16520 |
| 147 | 확산펌프 [DP 변수 검토] | 20713 |
| 146 | 플라즈마에 관하여 [플라즈마 기초] | 19125 |
| 145 | 핵융합 발전에서 폐기물이 않나오는…. [처리와 재활용] | 18737 |
| 144 | 플라즈마을 막는 옷의 소재는? [옷의 소재 표면 처리] | 18697 |
| 143 | 스퍼터링시 시편 두께와 박막두께 [박막의 하전량 변화] [1] | 22135 |
| 142 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 80680 |
| 141 | 플라즈마를 이용한 발광시스템에 관한 연구 [Plasma lamp] | 17264 |
| 140 | CCP의 electrod 재질 혼동 [PECVD와 화학물 코팅] | 16720 |
| 139 | PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] | 30259 |
| 138 | 플라즈마 코팅 관하여 [PECVD와 화학물 코팅] | 22297 |
| 137 | wafer 전하 소거: 경험 있습니다. | 20680 |
