안녕하세요. 교수님.
플라즈마를 공부하는 학생들이나, 실무에서 플라즈마를 접하는 모든
엔지니어분들의 배움의 장을 열어주시는 교수님께 깊은 감사를 드립니다.
저는 현재 디스플레이업체에서 드라이에칭 설비를 운영하는 공정엔지니어인 김 영욱 이라고 합니다.

저는 석사과정에서는 ICP를 이용하여 반도체 배선용 산화막 공정을 연구하였습니다.

현재 디스플레이업체로 온 이후로는,
실리콘 기판이 아닌, glass를 가지고, 식각공정을 개발하고 있습니다.
석사과정과 동일하게 ICP를 이용하여 식각을 하고 있으나,
가장큰 차이는 반도체식각에서 가장 중요시 하게 조절하는 Vdc (Self bias voltage)가,
바이어스전력과 무관하게 영으로 표시된다는 것이 가장 큰 차이로 느켜집니다.

이와 관련하여 교수님께 몇가지 질문을 드리고 자 합니다.

1. 절연체인 glass 위에서 Vdc가 표시되는 이유가 잘 이해가 되지않습니다.

2. Vdc가 비록 영으로 표시되더라고, 인가하는 바이어스 전력(Watt)과 연계하여
   대략적인 Vdc를 추론하는 방법은 없는지요?

3. 산업현장에서는 Vdc 대신에 ICP의 소스파워(source power)와 바이어스파워(bias power)를
   통해 측정되는 Peak to Peak 전압 (Vpp_S, Vpp_b)을 중요한 파라미터로 활용하고 있습니다.
   이들 파라미터가 가지는 의미에 대해서 알고 싶습니다.

많은 질문을 드린것 같습니다.

항상 건강하시고, 좋은 연구 많이 하시길 기원합니다.