안녕하십니까? 반도체 제조업에 종사하는 엔지니어입니다.

플라즈마 기초 토픽들을 공부하던 중 이해가 안가는 부분이 있어서 이렇게 문의드립니다.

플라즈마에 isolated (floating) substrate 를 넣었을 때, 전자와 이온이 각각 nv/4 의 flux 로

입사하고, 속도가 더 빠른 전자가 먼저 기판을 charging 시켜서 sheath 형성의 발판을

마련한다고 여러 책들에 소개되고 있는데요,

전자나 이온이 왜 기판에 capture 가 될까요? 초기에 기판은 중성이 아닌가요?

그냥 튕겨나가지 않고 왜 기판을 charging 시키는 지 이해가 되지를 않습니다. 이것을 설명할

수 있는 화학적, 혹은 전기적인 해석이 가능할까요?

답변 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [338] 226590
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 65509
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 102535
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 114635
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 194314
178 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 27700
177 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [RF 방전과 이온 에너지] [1] 20937
176 RF plasma에 대해서 질문드립니다. [Sheath model, Ion current density] [2] 23137
» floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential] [2] 24854
174 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [Impedance matching과 반사파 형성] [3] 24709
173 glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 22794
172 self bias (rf 전압 강하) 28010
171 궁금합니다 [입자 속도에 따른 충돌 단면적과 mean free path] [1] 18468
170 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 34161
169 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 16739
168 AMS진단에 대하여 궁금합니다 file 20066
167 Three body collision process 21691
166 플라즈마에서 전자가 에너지를 어느 부분에서.. 18720
165 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 26156
164 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 21388
163 플라즈마의 정의 18840
162 Ground에 대하여 41305
161 교재구입 21687
160 DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. 135609
159 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 22530

Boards


XE Login