Remote Plasma PECVD 매칭시 Reflect Power 증가

2008.08.12 15:39

김 선 미 조회 수:24994 추천:421

안녕하세요. 저는 연구실에서 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 갖고 실험하고 있는 학생입니다.
플라즈마가 기판으로 도달되지 않아 플라즈마를 기판으로 내리기 위해  tunner를 조절하여 어느정도
내렸습니다. 그런데 forward power가 증가함에 따라 Reflect power도  상당히 큰 값으로 증가했습니다. 매칭이 잘못된거 같은데 아무리 tunner를 크게 또는 작게 해도  소용이 없었습니다.
혹시 다른 매칭방법은 없나요? 재료공학과 학생이라 플라즈마에 대한 지식이 많이 부족합니다.
알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.^^

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77083
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20394
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57304
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68847
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92855
361 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3561
360 ESC Cooling gas 관련 [1] 3575
359 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3577
358 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3581
357 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3591
356 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3668
355 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3684
354 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3732
353 Descum 관련 문의 사항. [1] 3758
352 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3812
351 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3833
350 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3855
349 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3932
348 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3979
347 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3980
346 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3989
345 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3991
344 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4032
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4070
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4171
쓰기
태그

Boards

XE Login