Remote Plasma PECVD 매칭시 Reflect Power 증가

2008.08.12 15:39

김 선 미 조회 수:24996 추천:421

안녕하세요. 저는 연구실에서 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 갖고 실험하고 있는 학생입니다.
플라즈마가 기판으로 도달되지 않아 플라즈마를 기판으로 내리기 위해  tunner를 조절하여 어느정도
내렸습니다. 그런데 forward power가 증가함에 따라 Reflect power도  상당히 큰 값으로 증가했습니다. 매칭이 잘못된거 같은데 아무리 tunner를 크게 또는 작게 해도  소용이 없었습니다.
혹시 다른 매칭방법은 없나요? 재료공학과 학생이라 플라즈마에 대한 지식이 많이 부족합니다.
알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.^^

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77200
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20461
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57359
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68898
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92944
766 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 220
765 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 223
764 skin depth에 대한 이해 [1] 225
763 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 229
762 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 231
761 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 238
760 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 248
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 249
758 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 252
757 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 255
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 264
755 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 273
754 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 281
753 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 284
752 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 290
751 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 302
750 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 312
749 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 327
748 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 332
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 335

Boards


XE Login