ATM Plasma 상압 플라즈마 관련 문의입니다.
2008.10.10 16:12
안녕하세요..
상압 플라즈마 관련 업체에서 근무중인 김형석이라고 합니다.
다름이 아니라, 저희가 RF 플라즈마를 이용한 세정 장비를 개발 중에 있습니다.
모듈을 방전시 외부에 온도 라벨을 붙여 테스트 한결과, 약 7분 정도 지났을때, 접지 전극 온도가 약70도 정도 였습니다.
그러나, 그 순간 접지 전극이 휘는 현상이 발생하였습니다.
접지 전극을 새것으로 바꾸어도 마찬기지 현상이 발생합니다.
제 생각으로는 플라즈마가 불균일 하여, 생긴 현상이라 생각됩니다.
이에 대한 좋은 가르침 주시면 감사하겠습니다.
저희 장비는 리모트 타입으로써, 상부 전극은 Ag Paste에 절연체로는 세라믹을 사용중이며,
하부 전극은 알루미늄 아노다이징(60um)를 사용 중입니다.
전원은 RF를 사용 중입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75432 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56480 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67563 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89370 |
| 188 | 궁금해서요 | 16300 |
| 187 | PM을 한번 하시죠 | 19696 |
| 186 |
CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마...
[1]  | 20239 |
| 185 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22563 |
| 184 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19120 |
| 183 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19435 |
| 182 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26294 |
| » | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21445 |
| 180 | RF에 대하여... | 29865 |
| 179 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 23994 |
| 178 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24874 |
| 177 | RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] | 18833 |
| 176 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20784 |
| 175 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22703 |
| 174 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22515 |
| 173 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21586 |
| 172 | self bias (rf 전압 강하) | 26444 |
| 171 | 궁금합니다 [1] | 16146 |
| 170 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31223 |
| 169 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16012 |
하지만 간단하게 제 생각을 말씀드리겠습니다.
- 전극이 휘는 일은 저희도 경험을 합니다. 당연히 가열에 의해서 인데 적절한 방법이란 대상체 (전극)의 열용량을 늘리거나, 냉각을 효율적으로 하는 방법 밖에는 없는 것 같습니다. 플라즈마의 불 균일은 휘어진 전극에서 상부 전극간의 거리가 가까와지면 전기장에 커지고 방전은 몰리게 되는 경우가 발생합니다. 따라서 원인은 아니겠습니다.
- 저희는 세라믹의 두께를 조금 더 두꺼운 것을 사용해서 문제를 푼 경험이 있습니다. 즉 열용량에 대한 문제가 됩니다. 하지만 이 또한 완전한 해법은 아닙니다. 방전 전력이 커지면 또 생길 수 있습니다. 이를 위해서 때로는 보조 냉각이 필요하게 되어 carrier gas로 고속의 가스를 추가하기도 합니다. 헬륨이 냉각 효율이 좋아 사용에 참고하시면 좋습니다.
- 도움이 되었을지 모르겠습니다. 좋은 결과 얻기를 희망합니다.