CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.

2010.01.28 19:44

kailo 조회 수:24325 추천:157

안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [338] 232535
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 68017
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 105122
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 117315
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 199688
218 플라즈마 진단법에 대하여 [플라즈마 진단과 Spectroscopy] [1] 23669
217 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [Enthalpy probe] [1] 23178
216 UBM 스퍼터링 장비로… [UBM과 열팽창 및 coating] [1] 23521
215 Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown] [1] 27896
214 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 25950
213 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 30130
212 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 42789
211 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 24460
210 석영이 사용되는 이유 [플라즈마 내식성과 불순물 제어] [1] 22717
209 surface wave plasma에 대해서 [Microwave와 electron temperature] [1] 21003
» CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 24325
207 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [Coaxial cable과 wave shield] [1] file 23828
206 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 26321
205 질문이 몇가지 있읍니다. [Lorentz force와 Magnetic cusp] [1] 21162
204 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서 [Equilibrium과 collision] [1] 23495
203 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 27786
202 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity] [3] 29111
201 몇가지 질문있습니다 17453
200 플라즈마내의 전자 속도 [Self bias] [1] 24422
199 Plasma Gas의 차이점 [플라즈마 화학 반응 및 에너지 전달] [1] 20258
쓰기
태그

Boards

XE Login