안녕하세요. 삼성전자 반도체 메모리 8/9라인 CVD공정에 배치받은 신입사원 허원석이라고 합니다.
한가지 여쭤 보고 싶은 점이 있어 질문을 드리게 되었습니다.

RF Generator를 쓰는 설비에서 ARC, HT-SIN 등의 공정은 RF reflect power가 일정하게 나오는데 비해 유독 ACL공정을 하는 설비에서만 RF reflect power가 일정하지 않은 이유가 무엇인지 궁금합니다.
주로 RF reflect power가 점차 상승하거나 때로는 하락할 때도 있습니다.
같은 Recipe에서도 RF reflect power 파형이 다르게 나타나는 것을 보면 Recipe문제는 아닌 것 같습니다...
(ACL 공정의 RF reflect power 파형 그래프 첨부하겠습니다.)

또한 이런 이유로 인해 Heater등의 Part에서 불량이 더 나는 것은 아닌지 알고 싶습니다.
가르침을 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48553
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 49550
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 54960
223 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. 15471
222 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 25703
221 질문 있습니다. [1] 18214
220 pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] 22071
219 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 23609
218 플라즈마 진단법에 대하여 [1] 19468
217 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [1] 19933
216 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20480
215 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 23904
214 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 23171
213 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [1] 25414
» 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 33976
211 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 19040
210 석영이 사용되는 이유? [1] 19147
209 surface wave plasma 에 대해서 [1] 17948
208 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 22687
207 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] file 20695
206 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 22745
205 질문이 몇가지 있읍니다. [1] 18921
204 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] 20950

Boards


XE Login