그림1.png

재미있는 Data 이군요.

저도 일전에 한번 경험해 보았습니다.
더 재미 있는 것은, 공정상에는 DR(뎁레잇)에 영향이 없다는 것이죠. Unifomity만 좀 떨어지는 것 이외에는...

Refpwr의 변함에 따라, Photo Sensor의 Lightness에 증감이 있는 것으로 보아, Plasma의 Electron Density는 변동에 따른 것이라 유추만 하고 있습니다. 정확한 것은 PSD 나 L/Probe 같은 Tool로 봐야 알 수 있을 것 같더군요. VI나 OES로는 별 연관성이 찾기 어려웠습니다.
해당 부분의 이유를 찾기 어려운 것은 Matcher의 Cap이 Ref의 값을 Input으로 받아서, 해당 부분을 상쇄 시키는 부분도 있기 때문에, 이 부분을 고려 했을 때의 Plasma 변화를 함께 고려해야 하기 때문입니다. VI로 판단하기 어려운 부분도 이 부분 때문에....Fuzzy Algorithm을 역으로 추정해야지 실 값이 보인다는....

말이 길어졌는데, 저의 경험만을 가지고 조금 말씀 드리면,
1. DR이나 Uni와 Ref값과 비교 하는 것은 조금 어려움,
2. Part Damage와 연관은 있일 수 있으나, Ref때문에 생겼다고 생각하기는 어려움, 대신, Ref가 높을 때, Part의 Damage가 크다는 것은 유추 가능하다고 판단됨.
3. Ref가 튀는 부분은, Arc에 의하여 다량의 electron이 Matcher로 유입된 것으로 판단됨 (Vdc 와 연동해 보면 더 정확할 듯...)
4. Ref값에 의한 Part 손상은, Heater 보다는, Electrod 혹은 Shower Header 부분과 연동하는 것이 더 나아 보임.

이상입니다.

미약하나마 경험 공유 합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76897
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57205
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68759
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92719
79 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22951
78 CCP/ICP , E/H mode 23057
77 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 23101
76 No. of antenna coil turns for ICP 23111
75 고온플라즈마와 저온플라즈마 23150
74 DC glow discharge 23267
73 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23273
72 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23346
71 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23412
70 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23458
69 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23779
68 Arcing 23850
67 플라즈마 쉬스 23958
66 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23990
65 self Bias voltage 24089
64 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24123
63 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24190
62 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 24364
61 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24368
60 플라즈마가 불안정한대요.. 24525

Boards


XE Login