Others 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
2010.05.16 02:51
![그림1.png](http://pal.snu.ac.kr/files/attach/images/377/741/019/01943160f19e7a9f23eb1e67cad4381d.png)
재미있는 Data 이군요.
저도 일전에 한번 경험해 보았습니다.
더 재미 있는 것은, 공정상에는 DR(뎁레잇)에 영향이 없다는 것이죠. Unifomity만 좀 떨어지는 것 이외에는...
Refpwr의 변함에 따라, Photo Sensor의 Lightness에 증감이 있는 것으로 보아, Plasma의 Electron Density는 변동에 따른 것이라 유추만 하고 있습니다. 정확한 것은 PSD 나 L/Probe 같은 Tool로 봐야 알 수 있을 것 같더군요. VI나 OES로는 별 연관성이 찾기 어려웠습니다.
해당 부분의 이유를 찾기 어려운 것은 Matcher의 Cap이 Ref의 값을 Input으로 받아서, 해당 부분을 상쇄 시키는 부분도 있기 때문에, 이 부분을 고려 했을 때의 Plasma 변화를 함께 고려해야 하기 때문입니다. VI로 판단하기 어려운 부분도 이 부분 때문에....Fuzzy Algorithm을 역으로 추정해야지 실 값이 보인다는....
말이 길어졌는데, 저의 경험만을 가지고 조금 말씀 드리면,
1. DR이나 Uni와 Ref값과 비교 하는 것은 조금 어려움,
2. Part Damage와 연관은 있일 수 있으나, Ref때문에 생겼다고 생각하기는 어려움, 대신, Ref가 높을 때, Part의 Damage가 크다는 것은 유추 가능하다고 판단됨.
3. Ref가 튀는 부분은, Arc에 의하여 다량의 electron이 Matcher로 유입된 것으로 판단됨 (Vdc 와 연동해 보면 더 정확할 듯...)
4. Ref값에 의한 Part 손상은, Heater 보다는, Electrod 혹은 Shower Header 부분과 연동하는 것이 더 나아 보임.
이상입니다.
미약하나마 경험 공유 합니다.
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