Others 반도체 관련 질문입니다.
2011.01.11 09:51
안녕하세요.
반도체 배선이 좁아지면서 달라지는것이 무었이 있을까요?
예를들어 가스의 양이 늘어난다거나, Power가 세진다거나...
어떤 변화들이 있을까요?
답변 부탁드릴께요^^ 좋은 하루 되세요.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77088 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20396 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57305 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68848 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92858 |
61 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24405 |
60 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24530 |
59 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24636 |
58 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24682 |
57 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24775 |
56 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24782 |
55 | plasma와 arc의 차이는? | 24796 |
54 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24895 |
53 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24904 |
52 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24994 |
51 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25590 |
50 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26202 |
49 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26231 |
48 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26250 |
47 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26501 |
46 | self bias (rf 전압 강하) | 26759 |
45 | 이온과 라디칼의 농도 | 27033 |
44 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27226 |
43 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27656 |
42 | DBD란 | 27764 |