LCD 장비 업체에 근무하는 김기권이라고 합니다.
HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) Source/Drain 공정에서만 발생하고 있습니다 , 발생 시점 은 Plasma On 후 15~20sec 후 (Ti Etching 완료되고, Al 막이 전면적으로 나타난 시점)
증상은  HVDC current '0" , DC Bias 상승 (최대치인 100V 까지), 동시에 Bias Reflect (전반사 - 미세한 Refect가 아니라, 전면적인 반전)

2. 조치 사항    
    1) HVDC Swap - 변화 없음
    2) ESC Filter Swap - "    
    3) RF Matcher Swap - "
    4) ESC 교체 - 일시적 개선되나, 시간을 두고 다시 재발

장비에 문제 인지 ESC 에 문제인지 파악이 안되고 있습니다.

많은 도움 부탁드립니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102079
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24543
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61189
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73238
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105456
353 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [Ion energy와 heat, sheath energy] [2] 2352
352 Impedence 위상관련 문의 [Circuit model, matching] [1] 1732
351 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [열플라즈마와 "플라즈마 금속학"] [1] 784
350 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3075
349 RF frequency와 RF power 구분 39480
348 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2390
347 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3341
346 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [Self bias] [1] 940
345 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4189
344 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6928
343 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 9024
342 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동] [2] 2124
341 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [플라즈마 생성 조건 및 성질] [1] 690
340 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [Breakdown condition 및 Paschen's law] [1] 1198
339 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [Child-Langmuir sheath 및 Debye length] [1] 5680
338 가입인사드립니다. [1] 2051
337 문의 드립니다. [방전 개시 조건 및 Bohm current density] [1] 1131
336 analog tuner관련해서 질문드립니다. [박막 플라즈마 및 tunning 원리] [1] 2554
335 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [플라즈마 생성 반응] [1] file 1608
334 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [Global model] [1] 1696

Boards


XE Login