안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

예전 책에서 공부한 바에 따르면 압력이나 챔버가 일정한 상태에서는

 

RF Power가 증가하면 전자의 에너지는 증가할 수 있지만 이 에너지는 이온화 과정에서 잃어버리기 때문에

 

밀도는 증가하는 것이고 Te는 일정하다고 알고있었는데,

 

실제 플라즈마 진단 테스트를 해보니까

 

RF Power가 증가함에 따라 플라즈마 밀도와 전자온도 다 증가하는 결과를 얻었습니다.

 

소스 타입은 ICP이고 수소 플라즈마 입니다.

 

이 경우, 전자온도가 매우 높아서 이온화를 하고도 에너지가 남을 만큼 큰 에너지를 얻었기 때문인가요?

 

어떤 메커니즘으로 이런 현상이 일어나는지 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102099
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24547
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61195
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73257
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105471
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다. [Corona breakdown, current density] [1] 1003
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6917
371 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2954
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning] [1] 4022
369 활성이온 측정 방법 [한국 기계 연구소 송영훈 박사팀] [1] 784
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [Byproduct와 gas flow, cleaning] [1] 1729
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [ESC coating와 dummy load] [1] 2721
366 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 2118
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2686
364 Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion] [1] 2591
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 2114
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [DBD와 "industrial plasma engineering"] [1] 1154
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1294
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요 [RF power와 power factor] [1] 1634
359 DC bias (Self bias) ["Glow discharge processes"] [3] 11943
358 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13032
357 새집 증후군 없애는 플러스미- 플라즈마에 대해서 [광운대 플라즈마바이오연구센터] [1] 1061
356 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2225
355 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [Self bias와 matcher] [1] 9781
354 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 3268

Boards


XE Login