- sputter는 플라즈마의 이온을 이용하여 타겟으로 부터 입자 (원자)를 떼어내는 장치라 이해하시면 좋을 것입니다. 이온은 전자에 비해서 엄청나게 무겁기 때문에 (수소의 경우 약 1800배) 전자에 의한 충돌보다는 이온에 의한 충돌에서, 같은 속도로 돌진하는 경우, 질량 크기 만큼 더 큰 충격량을 전달할 수 있습니다. 따라서 이온에 의한 타겟 충돌로 sputtering 이 잘 일어난다고 이해함이 좋습니다. 따라서 활용가스로 대부분 화학적 반응성이 적고 질량이 큰 아르곤을 많이 쓰는 이유이기도 합니다.

- sputtering yield는 입자 이온의 종류, 에너지, 입사 각도 (즉 정으로 돌을 쪼을때를 상상해 보시면 석공의 정은 다양한 각도를 갖는데 특히 직각으로 부터 멀어질 때 돌의 파편이 많이 튀는 것을 본 경험을 기억하시면, 동일한 현상입니다.)에 영향을 받습니다. 여기서 Bias는 타겟으로 입사되는 이온의 에너지를 높이기 위한 방법이라 생각하면 되겠습니다. 도체 타겟은 음 전압으로 가능하고, 부도체 타겟의 경우, 표면의 전위를 (bias power에 따라) 낮춤으로써 플라즈마 전위와 차이를 크게 하여 (쉬스 전위를 크게 한다고 말하기도 합니다) 입사하는 이온의 에너지를 키울 수 있게 되고 이는 sputtering yield를 키우는 노력이 됩니다. 따라서 depo도 빨리 되겠지요.  

- 위에 언급한 나머지 RF 전력은 플라즈마를 만드는 전력을 의미하는 것으로 보이며, RF는 부하와 임피던스가 잘 맞으면 RF 파는 수월하게 전력을 전달하게 되지만 임피던스가 일부 맞지 않거나 하면 전력의 일부는 부하로 들어가고 나머지는 반사되어 나오게 되는 값의 크기를 의미하는 것으로 판단됩니다. 즉 Forward power는 입사 전력을 의미하여, setting 된 전력 대비 몇 %가 입사되는 가를 보여주는 것으로 이해됩니다. 하지만 굳이 forward power를 %로 표시한 것은 인가 전력이 정해진 값에서 몇 %가 전달되었나를 판단에 도움을 주기 위해서가 아닌가 합니다. setting 전력에서 reflected power를 빼면 forward power 혹은 forward power의 나머지 분율이 reflected power를 의미하게 되니, 하나는 %로 나머지를 W로 표시하면서 한눈에 전달전력과 반사되어 나오는 전력의 크기를 분율 및 전력크기로도 쉽게 판단할 수 있는 표현을 한 것이 아닌가 합니다. 이해에 도움이 되었기를....