Collision Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요?
2012.02.16 05:21
안녕하세요.
반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.
Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.
배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.
하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.
질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.
Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.
Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,
갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77165 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20446 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57345 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68887 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92920 |
| 382 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2312 |
| 381 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2296 |
| 380 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2293 |
| 379 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2281 |
| 378 |
플라즈마볼 제작시
[1]  | 2265 |
| 377 | Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] | 2258 |
| 376 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2256 |
| 375 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2185 |
| 374 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2165 |
| 373 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2160 |
| 372 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 2148 |
| 371 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2137 |
| 370 | ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] | 2137 |
| 369 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2128 |
| 368 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2084 |
| 367 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2047 |
| 366 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2044 |
| 365 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2035 |
| 364 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2030 |
| 363 | chamber impedance [1] | 2025 |