Collision Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요?

2012.02.16 05:21

찬란 조회 수:15986

안녕하세요.

반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.

Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.

배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.

           하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.

 질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.

           Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.

          Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,

           갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....

         

          

          

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102079
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24543
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61189
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73238
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105456
393 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1903
392 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다. [Experiment와 KFE] [1] 2606
391 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2908
390 플라즈마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [Plasma 이온화] [1] 6671
389 플라즈마 기본 사양 문의 [형광등 동작 원리] [1] 799
388 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [Ionization과 chucking] [1] 2777
387 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2252
386 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3368
385 아래 382번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [Self bias와 capacitance] [1] 1276
384 ICP 후 변색 질문 870
383 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3556
382 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2807
381 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 424
380 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4680
379 Plasma에서 Coupled(결합)의 의미 [Power coupling과 breakdown] [1] 1271
378 고진공 만드는방법. [System material과 design] [1] 1266
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [Pd condition과 PDP] [1] 675
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide] [2] 931
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [B-dot probe, plasma diagnostics] [1] 1544
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 561
쓰기
태그

Boards

XE Login