ESC 정전척 isolation 문의 입니다.
2013.08.29 16:00
안녕하세요
이번에 정전척부분을 설계하게 되었습니다.
정전척과 cooling plate는 연결되어 있고 그 조립품은 챔버와 isolation시켜야 한다는데 그 이유가 궁금합니다.
또 isolator는 얼마만큼의 두께로 선정해야 하는지 궁금합니다.
isolator의 재질은 ptfe를 사용하려고 합니다.
선정공식이나 선정 근거에 대한 도움부탁드립니다.
안녕히계세요.
댓글 1
-
김곤호
2013.09.13 12:14
기본적으로 정전척은 하나의 전극입니다. 반응기 (chamber) 벽면과 전극은 분명 전기적으로 떨어져야 전력을 인가할 수 있을 것입니다. 또한 절연재는 절연 파괴 전압을 고려하시면 되고 여기서 전압은 설계된 정전척에 인가되는 전압을 허용할 수 있어야 함을 참고하여 관련 재료의 전기적 특성에 대한 정보를 찾아 보세요. 여기서 절연파괴현상은 절연재(PTFE) 뿐만아니라 전극간에 형성된 전기장에서 플라즈마가 개시되는 현상도 절연파괴 전압 (pachen's law: 파션의 법칙)에 준해서 전극에 전력을 인가하게 됩니다. 이에 대해서는 본 난에서 소개한 바 있으니 이를 참고해 보시기 바랍니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77200 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20462 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57359 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68898 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92944 |
| 806 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. | 3 |
| 805 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 11 |
| 804 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 22 |
| 803 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 36 |
| 802 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 36 |
| 801 | Druyvesteyn Distribution | 45 |
| 800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 52 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 58 |
| 798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 59 |
| 797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 66 |
| 796 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 70 |
| 795 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 76 |
| 794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 79 |
| 793 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 85 |
| 792 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 86 |
| 791 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 87 |
| 790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 90 |
| 789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 102 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 110 |
| 787 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 116 |