안녕하세요.
제가 플라즈마를 이용한 에칭 장비를 담당 하고 있습니다.
ICP 타입의 장비이며, 1Pa 조건에서 N2와 O2를 이용, RF Power 가하여
공정을 진행하고 있습니다.

남아있는 전하에 의해서 정전기가 생기는것 같아
이것을 없애고 싶습니다.

지금 제가 생각하고 있는 방법은
에칭이 끝난 후에
Ar gas를 이용하여 RF Power 를 약하게 해서
후처리 형식으로 ,대전되있는 Glass를 제전시키고자 합니다.

자문을 구할때도 없고, 구글만 내내 검색하고 있던차에
플라즈마 응용연구실을 접하게되었습니다.
저보다 학식도 높고 플라즈마 분야에서는 전문가이실것 같아
이렇게 여쭤보게되었습니다.
도움부탁드립니다.


1. Plasma Etching 공정 후 남아있는 전하량 측정관련 참고문헌 소개.

2. 남아있는 전하량을 진공 (1Pa이하)에서 제거할수있는 방법 이 있는지.

3. Ar gas에 RF Power를 얼마나 가해야 플라즈마 상태로 바뀌는지.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 109290
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 26953
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 64079
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 75835
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 109727
315 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4898
314 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1940
313 RPSC 관련 질문입니다. [플라즈마 발생과 쉬스 형성, 벽면 및 시료 demage] [2] 5419
312 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법] [1] 18898
311 플라즈마 내에서의 현상 [Neo-classical transport theory] [1] 1648
310 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [High Power RFG] [2] 8153
309 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지] [1] 2369
308 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 12591
307 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [플라즈마 유전상수] [1] 5006
306 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [글로우 방전 및 아크 방전] [1] 1233
305 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [Wave guide 및 matcher position 변화] [1] 2362
» Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3441
303 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 5010
302 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [Wave guide 설계 및 matcher 설계] [1] 1638
301 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율] [1] 2281
300 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [Radio-Frequency Plasma] [1] 2015
299 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 4307
298 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3620
297 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. 9966
296 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 18341

Boards


XE Login