안녕하세요?


현재 반도체 회사에서 CVD 설비 PART에 근무하고 있는 윤종문이라고 합니다.


플라즈마와 관련되어 CCP 방식의 설비에서 발생되는 문제에 대해 질문하려고 하는데요

HF(13.56Mhz)와 LF(4khz)를 모두 사용하는 설비입니다.


LF의 주파수가 고정되어 있는 상태에서 파워가 800kW가 되었을 때, Alloy 6061로 이루어진 Shower Head에서 Mg의 반응성이 문제가 되어 Particle Issue가 발생되고 있는데요.. 그 이유를 찾고 있습니다.

논문을 하나 찾아본 것이 있는데, 그 논문에서는 고온에서 발생하는 열팽창계수의 차이 때문에 발생되는 Warpage로 인해 코팅된 표면에 Crack이 발생되어 Flouorine이 침투되어 영향을 줄 수 있다고 되어있습니다만..

이 경우에는 온도는 동일하고 LF의 파워가 800kW가 되었을 때만 문제가 발생합니다.

LF POWER가 상승하면 alloy의 표면에 온도에 대한 영향을 주는 건지 궁금하네요.


요약


1 / 플라즈마(LF의 주파수는 고정)의 파워가 상승 했을 때 Alloy 6061에 어떤 영향(화학적으로, 특히 Mg에)을 미칠 가능성이 있는지요?

2 / Mg이 반응하게 되는 이유가 반응성이 크다 라는 것 말고 RF적으로 다른 이유가 있을까요?

3/ 논문에서 온도에 대한 영향 가능성을 읽었는데, 플라즈마 파워가 온도에 영향을 critical하게 주는 factor인가요?

4 /  이런 문제를 해결하기 위해 chemical polishing이나, seasoning을 염두에 두고 있는데.. 어떤 부분에서 접근해야 영향성을 줄일 수 있을까요?


라고 정리해보았습니다.


제가 아는게 그리 많지 않아서 질문이 많습니다..

답변 해주시면 감사하겠습니다 ^_^..

좋은 하루 되세요..

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77091
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20396
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57306
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68849
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92860
321 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1569
320 plasma 형성 관계 [1] 1562
319 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1543
318 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1542
317 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1540
316 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1532
315 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1524
314 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1496
313 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1491
312 charge effect에 대해 [2] 1488
311 ICP lower power 와 RF bias [1] 1487
310 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1481
309 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1476
308 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1474
307 알고싶습니다 [1] 1474
306 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1470
305 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1470
304 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1461
303 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1458
302 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1453

Boards


XE Login