안녕하세요. 반도체 회사에서 근무하고있는 직장인입니다.

etch 장비에서 초기 reflect power 안정화를 위해 shunt / series 값을 tuning 하여 어느정도 개선은 하였는데

전환되는 step 에서는 reflect power 를 빠르게 안정시킬 수 있는 방법이 궁굼합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77246
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20471
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57378
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68906
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92956
326 핵융합 질문 [1] 578
325 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 640
324 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1988
323 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7679
322 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1285
321 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1441
320 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5476
319 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6113
» RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] 8685
317 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6123
316 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2535
315 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4028
314 Ar plasma power/time [1] 1456
313 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4094
312 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17645
311 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1404
310 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7347
309 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1984
308 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11584
307 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4262

Boards


XE Login