실명을 사용하는 공간입니다.

질문을 잘 이해하기 힘든데,  romote cleaner용으로 가스를 선택하고자 하는 문제로 판단이 됩니다만, cleaning 주체가 F radical이라면, 그 생성량이 많을 수록 cleaning 공정이 유리할 것이라면, 등의 가정하라면 NF3와 CF4의 F 해리율에 대해서 자료를 조사하시면 쉽게 답을 찾으실 수 있을 것 이고 실험적으로 해리율에 대해서 연구기관이 협력을 해 주실 수 있을 것으로 보입니다.

플라즈마 내에서 가스 입자의 해리 반응에 대한 현상적 설명은 여러번 드렸으니 게시판 내용을  참고하시면 되겠습니다. 급하신 문제 같아 답신을 서둘러 올렸습니다.

제 답변은 실무적 경험은 전제하지 않은 점을 먼저 말씀드리고, 이 문제를 플라즈마 관점에 말씀을 드리겠습니다.

 아마도 RPS에서 NF3 소스로 사용하고, main chamber 에는 CF4를 넣어서 cleaning 공정을 진행하시려는 것 같습니다.  NF3와 CF4에서 F의 해리율, 즉 생성율을 서로 다릅니다. 결합 에너지를 참고해서 찾으시면 됩니다. 이 에너지 크기에 따라서 플라즈마 가열이 잘 되는 조건의 소스에서는 보다 많은 라디컬이 만들어 지겠습니다. 이는 소스의 구조 및 가열 방법 (ICP/CCP 등)과 아울러 인가 RF 주파수에 의존합니다.  RF 주파수가 높은 수록 높은 온도의 전자군이 많이 만들어지므로, 해리율도 높은 것입니다.

아울러 remote와 main chamber 내에서의 세정 플라즈마 생성의 차이에 대해서 설명하면,  radical과 meta stable 입자들 위주로, plasma charge 에 의한 영향을 최소화 하기 위해서 처리 대상이 있는 공간에서 떨어진 곳에서 플라즈마를 만들면 remote plasma source가 될 것입니다. 따라서 이 경우는 대부분 chemical reaction 위주의 세정을 진행하게 됩니다. 반면, 세정 가스를 반응기에 넣고 만드는 경우에는 플라즈마 전하, 즉, 가속 이온과 함께 입자로 부터 전달되는 에너지에 의한 온도(가열)에 의한 물리적 세정 효과를 포함시킬 수가 있겠습니다. 

마지막으로 세정 가스의 선정에는 가능하면 세정 대상 물질의 화학성질을 고려해서 결정하는 것이 일반적일 것입니다. NF3 보다 CF4에서는 막성분의 생성물이 플라즈마 내에서 만들어 질 수가 있음으로 세정과 함께 도모하려는 목적이 있어서 CF4를 세정 가스로 쓰려는 계획이 아닐까 하여, 혼합비의 문제는 다른 기준으로 검토가 필요해 보입니다.

다만 세정 대상의 특성을 파악하시고 공급 가스를 선택하시고, 소스를 선택하시면 현재 조건에서 최적으로 세정 조건을 찾아 가실 수 있을 것 같습니다. NF3/CF4를 섞었다고 반응기가 문제를 일으킬 여지는 없을 것 같고, 그 같은 걱정은 '연구기관'에서 풀어서 잘 해 주실 것으로 기대합니다. 또한 가스의 선택과 장비와의 궁합은 회사 기술이니 가급적 많은 자료를 비축하면서 기술을 숙성시켜 가셨으면 합니다.