PLASMA에 영향이 있는 ICP챔버의 경우에 대한 Parameter 해석관련 질문드립니다.

공식으로 알고 있는 이해보다 왜 그런지 쉬운 설명으로 메카니즘 해석 좀 부탁드리겠습니다.

제가 잘못알고 있거나 일부분만 알고 있는 내용일수 있는데 이점 양해 부탁드립니다.

책을 보았으나 혼동되는 부분이 있어 개념을 잡으려고 합니다..


* RF bias POWER는 전자밀도 와 비례 , ion flux 와 비례하는걸로 알고 있습니다.

1. electron density 와 비례한다면 ,,, ion density는 영향이 없는건가요?

2. 전자밀도가 높으면 쉬쓰 두께는 왜 줄어드나요?  

    충돌확률이 왜 전자밀도와 반비례인가요?  밀도가 높은데 충돌확률이 왜 떨어지는지 잘 모르겠습니다..

3. debye length 인/척력이 이온이나 전자의 가속과 관련이 있는건가요..?   

   입자의 속도는 밀도와 온도에만 관련있다고 알고 있는데 인/척력이 나오니 좀 헤깔리네요;;

4. ICP type에서 RF source power는 bias power 와 ion이나 전자 거동이 어떻게 다른지 궁금합니다.

    사실 제가 RF(source power 상단부) Reflect power 부분이 관심이 많습니다..

-  Bias voltages depend on gas  :  √Te/Kiz(Te) ~ d


  -  ω↑      n      sheath 두께 δsh      플라즈마 size d      전자온도 Te
     
  충돌확률 νm     Diffusion D      more symmetric      Vdc-bias      Vdc-sh


  -  δsh ∝ ω-1   ,    d (plasma width) = characteristic length - sheath width


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