RF prequency가 증가하면 plasma 상태에서 중성을 유지하려는 힘보다  커져서 중성상태를 깨트릴 수 있다는 의미로 이해하였는데요. 이러면 ion energy가 증가해야하는것이 아닌가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77156
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20437
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57340
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68884
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92908
382 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2310
381 etching에 관한 질문입니다. [1] 2296
» RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2292
379 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2280
378 플라즈마볼 제작시 [1] file 2265
377 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2257
376 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2256
375 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2183
374 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2162
373 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2160
372 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 2147
371 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2135
370 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2134
369 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2123
368 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2084
367 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2044
366 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2042
365 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2032
364 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2030
363 chamber impedance [1] 2024

Boards


XE Login