Etch ICP와 CCP의 차이

2017.08.22 16:56

베컴 조회 수:10187

안녕하세요?


플라즈마 관련 업체 현업에 종사하고 있습니다.


플라즈마 에쳐장비에서 궁금한점이 몇가지 있어 이렇게 문의 드립니다.


1.에칭하려는 물질에 따라서 달라지겠지만, 현재 에쳐장비의 흐름이 CCP에서 ICP로 옮겨가며, 하이브리드로 사용할려고 하는듯 합니다. 이는 이온의 물리적 에칭보다는 라디칼의 화학적 에칭에 더 중점을 두고 변화하는것이 아닌지요?

(물론 기본적으로 이온의 물리적 에칭이 중요하겠지만, 예를 들면 이온의 물리적 에칭으로 웨이퍼의 구조적 손상문제를 야기하는등 CCP의 한계가 있다고 판단되어서요....전자밀도와 라디칼 분포가 큰 ICP를 선호하는게 아닌가 해서요....)


2. 셀프자기바이어스가 커짐에 따라서, 이온의 식각률이 증가한다고 알고 있습니다. 기본적인 질문이지만, 주파수와 셀프자기바이스간의 관계가 궁금합니다. 수학적으로 판단하기에는 주파수가 커짐에 셀프자기바이어스가 작아진다고 알고있습니다.


3. 전자온도분포함수와 이온에너지분포함수간의 상호 연관성이 있는지요?

(제가 생각하기에는 전자온도가 이온에너지보다 대략 5배정도 크니 단순하게 생각해서...전자에너지분포함수와 이온에너지분포함수간에는 비례관계가 있을듯 합니다.)


답변부탁드립니다.


감사드립니다.

축복이 가득하길 바라겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1554
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 2416
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49517
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59725
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 75748
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1406
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 531
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 669
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 763
359 DC bias (Self bias) [3] 9334
» ICP와 CCP의 차이 [3] 10187
357 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 613
356 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1368
355 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 5653
354 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 1765
353 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1152
352 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1078
351 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 402
350 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1798
349 RF frequency와 RF power 구분 26723
348 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 1394
347 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 1788
346 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 488
345 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2562
344 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5045

Boards


XE Login