안녕하세요, 반도체 장비 회사에서 PECVD(TICL4 + H2 를 이용한 TI)설비를 개발하고 있는 엔지닝어입니다. 여기문의하는 것이 맞는 것인지 모르겠지만 일단 여쭤보겠습니다.


최근 고객사 측에서 PM 초기 TI 막질의 두께가 낮고 THK range 가 크다는 VOC 가 있어서 개선 방안을 고민하던 중에 precoat recipe 를 변경하는 test 를 진행하고 있습니다.  wafer 위에 depo 하는 recipe 는 그대로 두고 PM 후 CH 내부에 precoat 할 때 사용하는 recipe 만 변경하는 test 입니다.


변경 내용은 stage heater 와 showerhead 간 gap 을 변화시키는 것인데요, 기존 13.5mm 에서 11mm 로 gap 을 줄이니 thk range 가 감소하고 avg thk 가 높아지는 결과를 확인했습니다.


여기서 질문드립니다. depo recipe 도 아닌 precoat recipe 의 showerhead <-> heater gap 을 줄였는데 왜 막질의 두께와 산포가 바뀌는 것일까요?

rough 하게나마 가설을 세워보면 .....


 gap 을 줄임(1)

=> plasma 가 뜨는 공간의 부피가 감소했고(plasma 밀도는 증가?) (2)

=> heater 위에 precoating 되는 TI 막질 변화 (3)

=> wafer 가 depo 될 때 받는 heat 산포가 uniform 한 방향으로 바뀜 (4)

=> wafer 위에 depo 되는 막질의 thk avg, thk range 가 바뀜 (5)


이정도인데요, 어떻게 생각하시는지 궁금합니다.


번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48631
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 50133
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 55155
384 ICP 후 변색 질문 392
383 Plasma etcher particle 원인 [1] 1094
» PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 820
381 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 199
380 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 2948
379 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 651
378 고진공 만드는방법. [1] 559
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 265
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 303
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 348
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 269
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 397
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 2396
371 플라즈마 압력에 대하여 [1] 938
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 1689
369 활성이온 측정 방법 [1] 287
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 651
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 986
366 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 971
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1640

Boards


XE Login