VI(Impedance) Sensor VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target]
2018.02.02 15:44
안녕하세요
반도체 설비 제조 업체 연구소에 근무 하는 하태경 이라고 합니다.
Plasma 진단 에 관련한 질문 있어 글을 씁니다.
저희 회사는 remote plasma를 사용하는 반도체 ashing 설비를 생산 하고 있습니다.
Plasma source는 ICP type 입니다. matcher에 VI sensor가 장착 되여 있습니다. matcher와 source 사이에 VI sensor가 위치합니다.
plasma source - baffle - process chamber 구조로 source에서 생성되는 radical의 down stream 으로 ashing를 진행 합니다.
chuck은 히팅외에는 다른 역할를 하지 않습니다.
여기서 질문은 VI sensor를 활용하여 어떠한 진단을 할 수 있는지가 궁금합니다.
현재 monitroing 해본 것으로는, end point를 보려 했지만 값이 변화하지 않습니다.. 케미스트리 변화에는 값이 변화 합니다.
VI sensor로 진단 가능한 부분이나 사례등이 있으시면 무엇이라도 좋습니다 답변 부탁 드립니다.
예로 PM 주기 monitoring 등도 좋은 아이템이 될것 같습니다.
감사합니다
VI probe가 epd로 역할을 못하는다는 의미는 아마도 현재 VI probe가 보는 플라즈마가 remote plasma source 쪽이라는 뜻이 됩니다. 그럴 것이 이 부분 플라즈마/source chamber impedance와 matching 상태를 모니터링 하고 있기 때문입니다. 따라서 공정 (downstream) chamber의 플라즈마 정보는 VI probe까지 도달하지 않았다고 판단하시는 것이 좋을 듯 하군요.
저희 경험을 말씀드리면, process monitoring sensor의 개발은 target 공정, 장비를 정의하고 바라보는 방법이 유효한 것 같습니다. 범용적인 sensor를 개발하는 전략은 실무에서 요구하는 민감도 높은 (Good) 데이터를 만들어 낼 확률이 낮기 때문입니다.