Others O2 플라즈마 클리닝 관련 질문

2018.04.07 12:33

이도윤 조회 수:1378

안녕하세요.

대학원에서 실험을 하고 있는 대학원생입니다.

현재 Ge, Si wafer와 같은 여러가지 기판에 증착된 300nm Ni film을 thermal release tape를 이용하여 떼어낸 뒤, Si/SiO2 기판으로 전사하여 가열해 줌으로써 thermal tape를 제거하는 작업을 하고 있습니다.

tape를 제거한 뒤에 Ni 표면에 tape 잔여물들이 많이 남아 있어서 O2 플라즈마로 잔여물을 제거하려 하고 있는데요.

이상하게도, 전사 과정에서 Si/SiO2 기판에 묻어있던 tape 잔여물들은 1시간 이내에 완전히 제거가 되는데 Ni 표면에 있는 tape 잔여물들은 같은 조건에서 4시간 이상까지 플라즈마 처리를 하여도 잔여물이 전혀 줄어들지를 않습니다.

원인과 해결 방법을 알 수 있을까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] 72988
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17579
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55511
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65680
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85997
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 24010
403 Collisional mean free path 문의... [1] 652
402 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1980
401 플라즈마 색 관찰 [1] 3367
400 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 12487
399 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 837
398 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 884
397 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24049
396 MATCHER 발열 문제 [3] 1248
395 플라즈마 기초입니다 [1] 1147
» O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1378
393 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1329
392 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1275
391 PR wafer seasoning [1] 2509
390 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6480
389 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 539
388 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1586
387 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1350
386 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2455
385 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 857

Boards


XE Login