안녕하세요.

대학원에서 실험을 하고 있는 대학원생입니다.

현재 Ge, Si wafer와 같은 여러가지 기판에 증착된 300nm Ni film을 thermal release tape를 이용하여 떼어낸 뒤, Si/SiO2 기판으로 전사하여 가열해 줌으로써 thermal tape를 제거하는 작업을 하고 있습니다.

tape를 제거한 뒤에 Ni 표면에 tape 잔여물들이 많이 남아 있어서 O2 플라즈마로 잔여물을 제거하려 하고 있는데요.

이상하게도, 전사 과정에서 Si/SiO2 기판에 묻어있던 tape 잔여물들은 1시간 이내에 완전히 제거가 되는데 Ni 표면에 있는 tape 잔여물들은 같은 조건에서 4시간 이상까지 플라즈마 처리를 하여도 잔여물이 전혀 줄어들지를 않습니다.

원인과 해결 방법을 알 수 있을까요??