Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:1783

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4913
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16254
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63759
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83574
419 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 858
418 RF 변화에 영향이 있는건가요? 17406
417 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 380
416 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 623
415 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 484
414 etching에 관한 질문입니다. [1] 1455
413 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 2772
412 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 4888
411 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4855
410 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 362
409 Si Wafer Broken [2] 1845
408 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1055
407 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 920
406 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 827
405 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1559
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 22952
403 Collisional mean free path 문의... [1] 589
» Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1783
401 플라즈마 색 관찰 [1] 2866
400 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 489

Boards


XE Login