안녕하세요

반도체쪽에서 일하는 직장인 입니다.

다름이 아니라 CVD공정 양산 설비 Depo시 간헐적으로  Plasma On시 초기 2초간 Reflect가 발생하더라구요...

이와 관련하여 해당 Chamber Issue로는  Plasma On시 Load 값 Issue가 있어 Matcher교체 하였구요. 

이 후 동일 문제로 RF Filter 교체 하였고 접지Cable Resetting 하였고 Heater 교체도 하였습니다.

이 후에 초기 Reflect가 발생 하였다는 것을 알게 되어 초기 Reflect 관련 문제를 해결하려고 하는데

아직 정확한 원인을 찾지 못하여 이렇게 많은 분들께 조언 구합니다.

실제 Fab에서 양산 설비이기 때문에 Gas 유량, 압력, 동축 Cable 길이 등은 다른 양산 설비와 동일 하구요. (실제 확인도 하였습니다.)

Generator에서 인가되는 Power도 문제 없는 것을 확인하였습니다.

추가로 어떤 부분을 확인하면 도움이 될 지 많은 분들의 조언 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102103
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24548
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61197
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73269
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105485
553 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경] [1] 1635
552 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2762
551 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경] [1] 926
550 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [웨이퍼 bending] [1] file 1885
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건] [3] 5670
548 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1431
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [PIC simulation] [1] 10659
546 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3173
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 1214
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [Chemisorption과 pruege gas] [1] 4540
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [UV energy] [1] 866
542 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2792
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [Lorentz force와 magnetic confinement] [1] 2733
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [Plasma source와 loss] [3] 4475
539 플라즈마 살균 방식 [Plasma medicine] [2] 11900
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1765
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 3224
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [ICP와 H field] [1] 645
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어] [1] 1450
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher] [2] 5373

Boards


XE Login