ESC SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리]

2018.08.01 11:16

장영구 조회 수:3048

안녕하세요. 반도체회사에 다니고 있습니다.

Plasma와 연관성이 없을 수 있는 질문인데요..

Si Wafer가 ESC Chucking  Voltage의 Damage(??)에 의해 Edge Broken이 발생할 수 있는지 궁금합니다. (2500v)

ESC를 사용하다가 1년 이상되면 Broken이 발생하고, Broken 주기는 점점 빨라집니다.

ESC의 오랜 사용에 의한 노화 현상은 맞는거 같은데 어떤 영향성으로 발생하는지 궁금해서요...(ESC 교체시 정상되네요)

Plasma On/Off와는 연관성이 없었습니다.

 

 

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