Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5499

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77067
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20384
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57293
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68839
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92842
421 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2949
420 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2927
419 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2903
418 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2896
417 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2859
416 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2850
415 임피던스 매칭회로 [1] file 2837
414 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2812
413 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2737
412 PR wafer seasoning [1] 2707
411 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2699
410 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2681
409 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2672
408 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2594
407 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2592
406 질문있습니다. [1] 2589
405 Si Wafer Broken [2] 2556
404 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2537
403 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2524
402 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2501

Boards


XE Login