Etch etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
2018.08.14 14:59
안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.
가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.
ethcant gas인 ch4는 고정시키고
Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.
질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?
질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] | 103336 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 24717 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 61528 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 73521 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 105953 |
830 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 148819 |
829 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134613 |
828 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 97732 |
827 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 80452 |
826 | Silent Discharge | 64654 |
825 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55981 |
824 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48964 |
823 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43945 |
822 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41682 |
821 | 대기압 플라즈마 | 40942 |
820 | Ground에 대하여 | 40099 |
819 | RF frequency와 RF power 구분 | 39526 |
818 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36746 |
817 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36440 |
816 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35318 |
815 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 33028 |
알곤 플라즈마는 플라즈마 생성에 매우 유리한 가스입니다. 즉, ionization 경로가 direct ionization (15.75 eV)과 더 많은 확률을 가진 step ionization이 존재하기 때문인데, 후자는 Ar*을 경유하는 이온화 경로를 갖습니다. 즉, 불활성 가스들은 대부분 여기상태가 안정적인 준 안정상태(meta stable: 11.5 eV 근방) 입자들로 많은 수가 존재하고, 이들이 다시 전자 충돌 등으로 이온화가 되는 과정인데, 여기상태의 아르곤은 4.2 eV정도의 에너지만 받아도 이온화되어 플라즈마 상태를 수월하게 유지시킬 수 있는 특징이 있습니다. 따라서 아르곤 플라즈마는 공간내에 metastable의 밀도가 높아질 수로고 플라즈마가 잘 만들어 짐을 알 수 있는데, 준 안정입자들은 중성상태의 가스 를 따라서 생성되고 배기되므로, 반응기 공간 내, 즉 전자가속이 일어나는 공간에 적은 시간 머물게 되면, 즉 빠르게 배기되게 되면, sccm이 높으면 여기된 알곤 입자들이 빨리 빠져나가고 새로운 Ar 입자들이 많아질 확률이 커지므로 (운전 압력을 고정시켜 놓고 가스 flow rate 을 키운 경우) 실제 식각 플라즈마의 이온의 밀도는 떨어지고 ER이 오히려 떨어지게 됩니다. 만일 SCCM에 따라서 압력이 같이 높아졌다면 일정부분 ER이 커질 것이나, 너무 높아져서 ionization mean free path가 줄어 든다면 이 경로에서 전자가 얻는 에너지가 줄어들게 되므로, 역시 이온화가 덜 일어나게 되므로 운전 압력이 특정 (장비 구조의 함수) 값에서 비례해서 커지다가 다시 줄어드는 경향을 갖게 됩니다. 본 게시판에서 충돌현상/ 이온화 과정에 대해서 좀 더 살펴 보시면 좋을 것 같습니다.