안녕하세요.

궁금한 점이 있어 질문 드립니다.

일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면

그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?

임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,

미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.

예를 들어주셔도 됩니다.

이상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4971
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16324
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51258
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63782
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83588
440 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 342
439 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2112
438 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1024
437 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 967
436 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1415
435 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 2377
434 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 448
433 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 811
432 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 1723
431 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 363
430 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 455
429 자기 거울에 관하여 1020
428 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 704
427 Descum 관련 문의 사항. [1] 2437
426 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 440
425 Plasma Generator 관련해서요. [1] 752
424 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1227
423 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 353
422 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5641
» 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 940

Boards


XE Login