Monitoring Method Plasma 발생영역에 관한 질문
2018.10.16 16:20
Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.
플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.
플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데
질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요?
질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?
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먼저 sheath 의 형성 과정을 이해하면 대부분 해결이 될 것입니다. 쉬스에 대해서는 본 게시판에서 상세하게 여러번 다뤘으니 참고하십시오. 아울러 모티터링에 대해서는 정의가 필요합니다. 아울러 monitoring 과 diagnostics 의 차이를 생각해 보시고, 모두 진단으로 해석이 가능해서 혼선이 있을 수 있으나, 진단계 (장치)와 진단대상의 물성이 잘 결합되어야 해석이 용이합니다. 따라서 플라즈마 쉬스를 잘 이해하는 것이 모니터링의 첫 단추를 끼우는 일이 되겠습니다. 그 후에 다음 문제를 고려해야 풀릴 것 같습니다. 현재 저희는 여러가지 방법으로 쉬스 특성을 모니터링하고는 있습니다만, 아직 현장에 투입한 경험은 없군요. 이 분야를 플라즈마 공정진단 이라 합니다.